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华映科技申请IGZO-TFT LCD阵列基板制备方法及其结构专利

   2024-07-08 4610
核心提示:天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种IGZO-TFTLCD阵列基板的制备方法及其结构“,公开号CN202410239646.9,申请日期为2024年3月。

天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种IGZO-TFT LCD阵列基板的制备方法及其结构“,公开号CN202410239646.9,申请日期为2024年3月。

专利摘要显示,本发明提供了一种一种IGZO‑TFT LCD阵列基板的制备方法及其结构,包括下述步骤:在玻璃基板上依次制备一栅极电极层、一第一绝缘层及一IGZO层;对部分IGZO层进行激光处理使其结晶导体化,让其作为像素电极层,未进行激光退火技术处理的IGZO层作为半导体层;对第一绝缘层进行开DC孔;源漏电极层与半导体层和像素电极层直接搭接,通过DC孔与栅极电极层搭接;对第二绝缘层和第一绝缘层进行开深孔使栅极电极层裸露,形成PV孔;在第二绝缘层上制备一公共电极层,且公共电极层通过PV孔与栅极电极层搭接。本发明在于减少Mask工艺数量,节约成本及简化工艺;降低绝缘层总厚度,提高面板透过率;避免绝缘层开深浅孔工艺,减少金属过蚀刻及腐蚀风险。


 
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